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日前中芯国际联席CEO梁孟松博士首次公开了中芯国际N+1、N+2代工艺的情况，透露N+1工艺相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%，SoC面积缩小55%，之后的N+2工艺性能和成本都更高一些。

业界普遍认为，中芯国际N+1工艺相当于台积电第一代7nm工艺，N+2则相当于台积电7nm+，重点在提升性能，年底即可量产。

今天，中芯国际相关人士详细解释了N+1工艺，也澄清了一些误会。

首先需要强调的是，N+1是中芯国际的内部代号，并不等于7nm。

据介绍，中芯国际N+1工艺在去年第四季度完成流片，目前正处于客户产品验证阶段，预计第四季度有限量产。

与市场上的7nm相比，中芯国际N+1在功耗、稳定性方面非常相似，唯一的区别就是性能，N+1的性能比14nm提高了约20%，但市场基准提升幅度是35%，所以有差距，但这也是唯一的差距。

如果是从功耗、稳定性方面而言，可以将中芯国际N+1称为7nm，而在性能方面确实要比7nm差。

中芯国际对N+1的目标是低成本应用，可以将成本相对市场上的7nm减少大约10%，因此是一个非常特殊的工艺节点。

从中芯国际的表态看，N+1更类似于台积电、三星的10nm，或者有点像三星的8nm，因为20%的性能提升幅度远低于台积电预计的30%、实际的35%。

至于N+2工艺，与市场7nm更为接近，尤其是稳定性，但是性能仍然略逊一筹。

另外随着台积电、三星陆续导入EUV极紫外光刻，中芯国际也在加速推进，但是梁孟松曾明确表示，

中芯国际无需EUV就能达成7nm，当然后续的5nm、3nm是必须要有EUV的。

其实，台积电第一代7nm也没有用EUV而是继续传统DUV，7nm+才有限导入EUV，几十层光罩中只有几层使用。

本文转载自网络，原文链接：http://news.mydrivers.com/1/679/679438.htm